
Внутрішній SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 PCIe 5.0 NVMe (MZ-VAP1T0BW) (9100 Pro 1TB PCIe 5.0 x4 NVMe)
16 710 ₴
- В наявності
- Код: mor018697
- 0 (800) 33-27-31Менеджер
Доставка зі складу 10-14 днів.
Внутрішній твердотільний накопичувач Samsung 9100 PRO об'ємом 1 ТБ — це високотехнологічний SSD форм-фактора M.2, що працює за інтерфейсом PCI Express 5.0 x4. Цей диск призначений для ПК та ноутбуків, пропонуючи швидкість послідовного читання до 14700 Мб/сек та запису до 13300 Мб/сек, що вдвічі перевищує показники попереднього покоління.
- Інтерфейс PCI Express 5.0 x4 для максимальної пропускної здатності
- Швидкість читання до 14700 Мб/сек та запису до 13300 Мб/сек
- Випадкове читання 1850000 IOPS та запис 2600000 IOPS
- Об'єм 1 ТБ на базі надійної пам'яті V-NAND TLC
- Ресурс запису TBW 600 ТБ та час напрацювання 1 500 000 годин
- Апаратне шифрування AES 256-біт для захисту даних
Швидкість завантаження та ігор
Інтерфейс PCI Express 5.0 x4 забезпечує пропускну здатність, необхідну для роботи з великими масивами даних. Послідовне читання досягає 14700 Мб/сек, а запис — 13300 Мб/сек, що вдвічі швидше за попереднє покоління. Це дозволяє миттєво завантажувати важкі ігри, редагувати відео у високій роздільній здатності та працювати з AI-додатками без затримок.
Багатозадачність та AI
Швидкість випадкового доступу критична для багатозадачності та роботи з фрагментованими файлами. Накопичувач демонструє показники випадкового читання до 1850000 IOPS та запису до 2600000 IOPS. Це гарантує плавну роботу системи, швидке відкриття додатків та ефективну обробку даних для AI-застосунків навіть під час інтенсивного навантаження.
Довговічність та стабільність
SSD побудований на базі пам'яті V-NAND TLC, що поєднує високу щільність запису з довговічністю. Гарантований ресурс запису (TBW) становить 600 ТБ, а середній час напрацювання на відмову — 1 500 000 годин. Ударостійкість 1500 G забезпечує надійність при транспортуванні та експлуатації у ноутбуках.
Енергоефективність
Сучасний контролер забезпечує споживану потужність 7.6 Вт у режимі читання та 7.2 Вт у режимі запису. У стані спокою енергоспоживання знижується до 0.004 Вт, а в режимі сну — до 3.3 мВт. Це допомагає зменшити навантаження на систему охолодження та зберегти заряд у ноутбуках.
Захист інформації
Накопичувач підтримує апаратне шифрування за алгоритмом AES 256-біт, що захищає конфіденційну інформацію на рівні обладнання. Підтримка технологій S.M.A.R.T. та TRIM дозволяє моніторити стан диска та оптимізувати простір для підтримки стабільної швидкості запису з часом.
Фізичні параметри та сумісність
Накопичувач виконаний у стандартному форм-факторі M.2 2280 (22 x 80 мм), що забезпечує сумісність із більшістю сучасних материнських плат та ноутбуків. Вага диска становить лише 9 г, а робочий діапазон температур — від 0 до 70 °C. Напруга живлення — 3.3 В. У комплекті з накопичувачем не передбачено додаткових аксесуарів, таких як радіатор. Для стабільної роботи у високонавантажених системах рекомендується використовувати материнську плату з вбудованим радіатором для M.2 слотів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Інтерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Призначення | Для ПК та Ноутбука |
| Об'єм накопичувача | 1024 GB |
| Швидкість запису | 13300 Мб/сек |
| Швидкість зчитування | 14700 Мб/сек |
| Стан | Новий |
| Тип диска | SSD |
| Габаритні розміри | |
| Вага | 9 г |
| Висота | 80.2 мм |
| Довжина | 2.38 мм |
| Ширина | 80.2 мм |
| Додаткові функції і характеристики | |
| Час напрацювання на відмову | 1500000 годин |
| Напруга | 3.3 В |
| Ударостійкість | 1500 G |
| Користувальницькі характеристики | |
| TBW | 600 TB |
| TBW (загальний обсяг запису) | 600 ТБ |
| Алгоритми безпеки | 256-bit AES |
| Апаратне шифрування | Да |
| Версія NVMe | 2 |
| Включені аксесуари | Немає |
| Вибірковий запис | 2 600 000 IOPS |
| Ці шини PCI Express | x4 |
| Діапазон робочих температур | 0 - 70 °C |
| Діапазон температур | 0 - 70 °C |
| Коефіцієнт TBW | 600 ТБ |
| Макс. швидкість читання/записування | 14700 MB/s / 13300 MB/s |
| Макс. випадковий запис | 2600000 IOPS |
| Макс. випадковий чит | 1850000 IOPS |
| Максимальна швидкість запису | 13300 MB/s |
| Підтримка S.M.A.R.T. | Да |
| Підтримка TRIM | Да |
| Споживання потужності (простий) | 0.004 Вт |
| Споживання енергії | 7.6 |
| Споживання енергії (у режимі очікування) | 0.004 Вт |
| Споживана потужність | 7.6 |
| Споживана потужність (запис) | 7.2 Вт |
| Робоча температура | 0 - 70 °C |
| Радіатор | Немає |
| Радіатор у комплекті | Немає |
| Розмір SSD M.2 | 2280 (22 x 80 мм) |
| Швидкість випадкового читання | 1850000 IOPS |
| Швидкість випадкового запису | 2600000 IOPS |
| Випадковий запис (4KB) | 2600000 IOPS |
| Випадкове читання | 1 850 000 IOPS |
| Випадкове читання (4KB) | 1850000 IOPS |
| Містить F-газ | Немає |
| Середнє споживання потужності | 7.6 Вт |
| Середня споживана потужність (запис) | 7.2 Вт |
| Країна походження | Польща |
| Тип пам'яті | V-NAND TLC |
| Тип чипа пам'яті | TLC |
| Колір | Чорний |
| Шина PCI Express | x4 |
| Шифрування/безпека | AES 256-біт |
| Енергоспоживання (запис) | 7.2 Вт |
| Енергоспоживання в режимі сну | 3.3 мВт |
- Ціна: 16 710 ₴







