+380 (75) 678-01-05
0 (800) 33-27-31
Techroom - интернет магазин

Внутренний SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 PCIe 5.0 NVMe (MZ-VAP1T0BW) (9100 Pro 1TB PCIe 5.0 x4 NVMe)

16 710 ₴

  • В наличии
  • Код: mor018697
Внутренний SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 PCIe 5.0 NVMe (MZ-VAP1T0BW) (9100 Pro 1TB PCIe 5.0 x4 NVMe)
Внутренний SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 PCIe 5.0 NVMe (MZ-VAP1T0BW) (9100 Pro 1TB PCIe 5.0 x4 NVMe)В наличии
16 710 ₴
+380 (75) 678-01-05
Менеджер
  • 0 (800) 33-27-31
    Менеджер
+380 (75) 678-01-05
Менеджер
  • 0 (800) 33-27-31
    Менеджер

Заказ только по телефону

Доставка со склада 10-14 дней.

Внутренний твердотельный накопитель Samsung 9100 PRO объемом 1 ТБ — это высокотехнологичный SSD форм-фактора M.2, работающий по интерфейсу PCI Express 5.0 x4. Этот диск предназначен для ПК и ноутбуков, предлагая скорость последовательного чтения до 14700 МБ/с и записи до 13300 МБ/с, что вдвое превышает показатели предыдущего поколения.

  • Интерфейс PCI Express 5.0 x4 для максимальной пропускной способности
  • Скорость чтения до 14700 МБ/с и записи до 13300 МБ/с
  • Случайное чтение 1850000 IOPS и запись 2600000 IOPS
  • Объем 1 ТБ на базе надежной памяти V-NAND TLC
  • Ресурс записи TBW 600 ТБ и время наработки 1 500 000 часов
  • Аппаратное шифрование AES 256-бит для защиты данных

Скорость загрузки и игр

Интерфейс PCI Express 5.0 x4 обеспечивает пропускную способность, необходимую для работы с большими массивами данных. Последовательное чтение достигает 14700 МБ/с, а запись — 13300 МБ/с, что вдвое быстрее предыдущего поколения. Это позволяет мгновенно загружать тяжелые игры, редактировать видео в высоком разрешении и работать с AI-приложениями без задержек.

Многозадачность и AI

Скорость случайного доступа критична для многозадачности и работы с фрагментированными файлами. Накопитель демонстрирует показатели случайного чтения до 1850000 IOPS и записи до 2600000 IOPS. Это гарантирует плавную работу системы, быстрое открытие приложений и эффективную обработку данных для AI-приложений даже при интенсивной нагрузке.

Долговечность и стабильность

SSD построен на базе памяти V-NAND TLC, которая сочетает высокую плотность записи с долговечностью. Гарантированный ресурс записи (TBW) составляет 600 ТБ, а среднее время наработки на отказ — 1 500 000 часов. Удароустойчивость 1500 G обеспечивает надежность при транспортировке и эксплуатации в ноутбуках.

Энергоэффективность

Современный контроллер обеспечивает потребляемую мощность 7.6 Вт в режиме чтения и 7.2 Вт в режиме записи. В состоянии покоя энергопотребление снижается до 0.004 Вт, а в режиме сна — до 3.3 мВт. Это помогает снизить нагрузку на систему охлаждения и сохранить заряд в ноутбуках.

Защита информации

Накопитель поддерживает аппаратное шифрование по алгоритму AES 256-бит, что защищает конфиденциальную информацию на уровне оборудования. Поддержка технологий S.M.A.R.T. и TRIM позволяет мониторить состояние диска и оптимизировать пространство для поддержания стабильной скорости записи со временем.

Физические параметры и совместимость

Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе M.2 2280 (22 x 80 мм), что обеспечивает совместимость с большинством современных материнских плат и ноутбуков. Вес диска составляет всего 9 г, а рабочий диапазон температур — от 0 до 70 °C. Напряжение питания — 3.3 В. В комплекте с накопителем не предусмотрено дополнительных аксессуаров, таких как радиатор. Для стабильной работы в высоконагруженных системах рекомендуется использовать материнскую плату со встроенным радиатором для M.2 слотов.

Характеристики
Основные
ПроизводительSamsung
Гарантийный срок12 мес
ИнтерфейсPCI Express 5.0 x4
НазначениеДля ПК и Ноутбука
Объем накопителя1024 GB
Скорость записи13300 Мб/сек
Скорость считывания14700 Мб/сек
СостояниеНовое
Тип дискаSSD
Габаритные размеры
Вес9 г
Высота80.2 мм
Длина2.38 мм
Ширина80.2 мм
Дополнительные функции и характеристики
Время наработки на отказ1500000 час
Напряжение3.3 В
Удароустойчивость1500 G
Пользовательские характеристики
TBW600 TB
TBW (общий объем записи)600 ТБ
Алгоритмы безопасности256-bit AES
Аппаратное шифрованиеДа
Версия NVMe2
Включенные аксессуарыНет
Выборочная запись2 600 000 IOPS
Данные шины PCI Expressx4
Диапазон рабочих температур0 - 70 °C
Диапазон температур0 - 70 °C
Коэффициент TBW600 ТБ
Макс. скорость чтения / записи14700 MB/s / 13300 MB/s
Макс. случайный запис2600000 IOPS
Макс. случайный чит1850000 IOPS
Максимальная скорость записи13300 MB/s
Поддержка S.M.A.R.T.Да
Поддержка TRIMДа
Потребление мощности (простой)0.004 Вт
Потребление энергии7.6
Потребление энергии (в режиме ожидания)0.004 Вт
Потребляемая мощность7.6
Потребляемая мощность (запись)7.2 Вт
Рабочая температура0 - 70 °C
РадиаторНет
Радиатор в комплектеНет
Размер SSD M.22280 (22 x 80 мм)
Скорость случайного чтения1850000 IOPS
Скорость случайной записи2600000 IOPS
Случайная запись (4KB)2600000 IOPS
Случайное чтение1 850 000 IOPS
Случайное чтение (4KB)1850000 IOPS
Содержит F-газНет
Среднее потребление мощности7.6 Вт
Средняя потребляемая мощность (запись)7.2 Вт
Страна происхожденияПольша
Тип памятиV-NAND TLC
Тип чипа памятиTLC
ЦветЧерный
Шина PCI Expressx4
Шифрование / безопасностьAES 256-бит
Энергопотребление (запись)7.2 Вт
Энергопотребление в режиме сна3.3 мВт
Информация для заказа
  • Цена: 16 710 ₴